新型存儲芯片可保存數(shù)據(jù)10億年

美國加州大學(xué)、勞倫斯伯克利國家實驗室的科學(xué)家們推出一種新的計算機內(nèi)存芯片，其數(shù)據(jù)存儲量要比常規(guī)硅芯片高數(shù)千倍，且預(yù)估壽命將超過10億年。此項發(fā)現(xiàn)預(yù)計將發(fā)表在6月10日美國化學(xué)協(xié)會的《納米通信》雜志上。
　　將更多的數(shù)字圖像、音樂和其他數(shù)據(jù)裝入USB和智能電話中的硅芯片，就像是將更多的草莓塞進同樣大小的紙箱里。塞得越多，損壞的速度就越快。現(xiàn)今內(nèi)存卡中每平方英寸10吉至100吉的數(shù)據(jù)預(yù)估壽命只有10年至30年。而對電子行業(yè)來說，未來的iPod、智能收集和其他設(shè)備需要更高的數(shù)據(jù)存儲密度。
　　研究人員稱，這種最高存儲密度芯片可在幾分之一秒的時間內(nèi)保存超高密度的數(shù)據(jù)。此內(nèi)存芯片將鐵納米粒子封閉在一個中空的鐵納米管內(nèi)。在電場作用下，納米粒子以非常高的精度來回穿梭。由此創(chuàng)建出一個可編程的內(nèi)存系統(tǒng)，像硅芯片一樣，它可記錄數(shù)字信息，并使用常規(guī)電腦硬件將其復(fù)現(xiàn)。
　　實驗和理論研究表明，該芯片的存儲密度可高達每平方英寸1萬億字節(jié)，且其溫度穩(wěn)定度超過10億年。