GB/T 13151-2005半導體器件 分立器件第6部分

【 標準編號 】 GB/T 13151-2005
【 標準名稱 】 半導體器件 分立器件第6部分:晶閘管第三篇 電流大于100A、環(huán)境和管殼額定的反向阻斷三極晶閘管空白詳細規(guī)范  
【 英文名稱 】 Semiconductor devices-Discrete devices-Part 6:thyristors-Section three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100 A
【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局; 中國國家標準化管理委員會
【 發(fā)布日期 】 2005-3-23
【 實施日期 】 2005-10-1
【 開本頁數(shù) 】 15P
【 替代標準 】 GB/T 13151-1991
【 引用標準 】 GB/T 2423.23-1995; GB/T 4589.1-1989; GB/T 4937-1995; GB/T 7581-1987GB/T 12560-1999; GB/T 15291-1994
【 采用關系 】 IDT IEC 60747-6-3:1993
【 起草單位 】 中國南車集團株洲電力機車研究所半導體廠; 北京金自天正智能控制股份有限公司半導體部; 北京變壓器有限公司; 天津市整流器廠; 中國北車集團永濟電機廠元件分廠; 襄樊臺基半導體有限公司; 西安電力電子技術研究所
【 起 草 人 】 童宗鑒; 黎明; 王佰升; 韓立文; 張紅衛(wèi); 顏家圣; 秦賢滿