GB/T 17170-1997非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)EL2濃度紅外

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 17170-1997
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級(jí)EL2濃度紅外吸收測試方法  
【 英文名稱 】 Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
【 發(fā)布單位 】 SBTS
【 批準(zhǔn)單位 】 國家技術(shù)監(jiān)督局
【 發(fā)布日期 】 1997-12-22
【 實(shí)施日期 】 1998-8-1
【 開本頁數(shù) 】 5P
【 替代標(biāo)準(zhǔn) 】 SJ 3249.4-89
【 起草單位 】 電子工業(yè)部第四十六研究所