GB/T 13389-92摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 13389-92
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程
【 英文名稱 】 Practice for conversion between resistivity and dopant density of boron-doped and phosphorus-doped silicon
【 發(fā)布單位 】 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【 批準(zhǔn)單位 】 國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局
【 發(fā)布日期 】 1992-2-19
【 實(shí)施日期 】 1992-10-1
【英文關(guān)鍵詞】 Electrical resistivity; Boron; Conversion; Phosphorus; Silicon; Regulations; Doping agents
【 所屬標(biāo)準(zhǔn) 】 GB
【 開本頁(yè)數(shù) 】 18P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 6615
【 采用關(guān)系 】 ASTM F723,EQV
【 起草單位 】 峨嵋半導(dǎo)體材料研究所
【 起 草 人 】 過惠芬; 陳永同; 吳道榮